کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729895 | 1461434 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of the pre-treatment anneal on Co–germanide Schottky contacts
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Influence of the pre-treatment anneal on Co–germanide Schottky contacts Influence of the pre-treatment anneal on Co–germanide Schottky contacts](/preview/png/729895.png)
چکیده انگلیسی
A thin cobalt layer is deposited by electron beam evaporation onto a germanium substrate after an in situ cleaning annealing at 400 or 700 °C. The effect of these pre-treatments on the Co/Ge Schottky barrier properties and on the germanide formation is investigated by using different techniques. A strong influence of the pre-treatment is observed. The pre-treatment at 700 °C removes the native oxide but enhances the diffusion of contaminants. After post-metal deposition annealing, the sample pre-treated at 700 °C shows a double layer structure due to interdiffusion, whereas some large isolated islands are present in the sample pre-treated at 400 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 11, Issues 5–6, October 2008, Pages 300–304
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 11, Issues 5–6, October 2008, Pages 300–304
نویسندگان
L. Lajaunie, M.L. David, F. Pailloux, C. Tromas, E. Simoen, C. Claeys, J.F. Barbot,