کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729909 | 1461434 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Device assessment of the electrical activity of threading dislocations in strained Ge epitaxial layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
It is shown that the high density of threading dislocations (TDs) and, more specifically, the high density of point defects associated with it and present in our strained Ge epitaxial layers on a Si0.2Ge0.8 relaxed buffer layer degrades the mobility and the leakage current of pMOSFETs and p+n junctions fabricated therein. Annealing in the range 550-650 °C prior to gate stack deposition improves the device performance, although there is no marked change in the TD density. From this, it is concluded that the annealing may reduce the density of point defects grown in during the epitaxial deposition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 11, Issues 5â6, October 2008, Pages 364-367
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 11, Issues 5â6, October 2008, Pages 364-367
نویسندگان
E. Simoen, G. Brouwers, G. Eneman, M. Bargallo Gonzalez, B. De Jaeger, J. Mitard, D.P. Brunco, L. Souriau, N. Cody, S. Thomas, M. Meuris,