کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
745931 | 1462209 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 14 nm node FinFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A complete mapping of 14 nm FinFETs performance over 200 mm wafers was performed and the pattern dependency of SiGe selective growth was calculated using an empirical kinetic molecule model for the reactant precursors. The transistor structures were analyzed by conventional characterization tools and their performance was simulated by considering the process related variations. The applied model presents for the first time a powerful tool for transistor community to predict the SiGe profile and strain modulating over a processed wafer, independent of wafer size.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 124, October 2016, Pages 10–15
Journal: Solid-State Electronics - Volume 124, October 2016, Pages 10–15
نویسندگان
Changliang Qin, Guilei Wang, M. Kolahdouz, Jun Luo, Huaxing Yin, Ping Yang, Junfeng Li, Huilong Zhu, Zhao Chao, Tianchun Ye, Henry H. Radamson,