کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
746583 1462231 2014 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Negative Bias Temperature Instabilities induced in devices with millisecond anneal for ultra-shallow junctions
ترجمه فارسی عنوان
ناپایداری های دمای منفی در دستگاه ها با انجیلی میلی ثانیه برای اتصالات فوق العاده کم عمق ایجاد شده اند
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی

In this paper the NBTI degradation has been studied in pMOS transistors with ultra-thin high-k dielectric subjected to a millisecond anneal for ultra-shallow junction implantation using different laser powers. An ultrafast characterization technique has been developed with the aim of acquiring the threshold voltage (Vth) shift in relaxation times as short as possible once the electrical stress is removed. It has been observed that increasing the millisecond anneal temperature reduce the NBTI degradation. These results have been explained in the context of the emission and capture probability maps of the defects.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 101, November 2014, Pages 131–136
نویسندگان
, , , , , ,