کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
747040 894493 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Current-voltage characteristics of AlCdO Schottky contact on the polished and unpolished p-type Si surfaces with and without light illumination
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Current-voltage characteristics of AlCdO Schottky contact on the polished and unpolished p-type Si surfaces with and without light illumination
چکیده انگلیسی
► I-V characteristics of the AlCdO/unpolished (polished) p-type Si diodes were examined. ► The higher barrier height of the AlCdO/p-type Si diode was found. ► The lower series resistance of the AlCdO/p-type Si diode was found. ► The surface roughness plays an essential role in improving the device performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 61, Issue 1, July 2011, Pages 116-120
نویسندگان
, , , , , ,