کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747040 | 894493 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Current-voltage characteristics of AlCdO Schottky contact on the polished and unpolished p-type Si surfaces with and without light illumination
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠I-V characteristics of the AlCdO/unpolished (polished) p-type Si diodes were examined. ⺠The higher barrier height of the AlCdO/p-type Si diode was found. ⺠The lower series resistance of the AlCdO/p-type Si diode was found. ⺠The surface roughness plays an essential role in improving the device performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 61, Issue 1, July 2011, Pages 116-120
Journal: Solid-State Electronics - Volume 61, Issue 1, July 2011, Pages 116-120
نویسندگان
Chia-Lung Tsai, Cheng-Lung Tsai, Guan-Ru He, Ting-Hong Su, Chang-Feng You, Yow-Jon Lin,