کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747336 | 894516 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Explicit quantum potential and charge model for double-gate MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Explicit quantum potential and charge model for double-gate MOSFETs Explicit quantum potential and charge model for double-gate MOSFETs](/preview/png/747336.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, we present a compact quantum model for both the electrostatic potential and electric charge in thin-film symmetric double-gate metal–oxide-semiconductor field-effect transistors with undoped body. As a novelty, both the resulting potential and charge have explicit expressions on bias and geometrical parameters. A comparison has been made between self-consistent numerical solutions of Schrödinger–Poisson equations and our model results with close agreement. Finally, the range of validity of the presented model is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 5, May 2010, Pages 530–535
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 5, May 2010, Pages 530–535
نویسندگان
Ferney Chaves, David Jiménez, Jordi Suñé,