![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
A subthreshold current model for nanoscale short channel junctionless MOSFETs applicable to symmetric and asymmetric double-gate structure
Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Nanoscale; Short channel; Junctionless; Double-gate MOSFETs; Modeling