دانلود مقالات ISI درباره دو دروازه MOSFET ها + ترجمه فارسی

A subthreshold current model for nanoscale short channel junctionless MOSFETs applicable to symmetric and asymmetric double-gate structure

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Nanoscale; Short channel; Junctionless; Double-gate MOSFETs; Modeling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

An in-depth Monte Carlo study of low-field mobility in ultra-thin body DGMOSFETs for modeling purposes

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Double-gate MOSFETs; Mobility simulation and modeling; Monte Carlo simulation; Coulomb scattering; Surface-roughness; Mobility modeling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Explicit model for the gate tunneling current in double-gate MOSFETs

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Double-gate MOSFETs; Modeling quantization; Gate tunneling; Direct tunneling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Explicit model for direct tunneling current in double-gate MOSFETs through a dielectric stack

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Double-gate MOSFETs; Modeling; Gate tunneling; Direct tunneling; Dielectric stacks

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

An analytical compact model for Schottky-barrier double gate MOSFETs

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Double-gate MOSFETs; Schottky-barrier SOI MOSFETs; Compact modeling; Semiconductor device MOSFETs; SOI MOSFETs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Compact capacitance modeling of a 3-terminal FET at zero drain–source voltage

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Compact device modeling; Multi-Gate MOSFETs; Double-Gate MOSFETs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Source/drain optimization of underlapped lightly doped nanoscale double-gate MOSFETs

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Double-gate MOSFETs; Source/drain optimization; Threshold voltage controllability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Explicit quantum potential and charge model for double-gate MOSFETs

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Double-gate MOSFETs; Modeling; Quantization; Volume inversion

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Multiband simulation of quantum transport in nanoscale double-gate MOSFETs

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Non-equilibrium Green function; Quantum transport; Tight-binding; Nanoscale; Double-gate MOSFETs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

An explicit surface-potential-based model for undoped double-gate MOSFETs

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Compact modeling; Double-gate MOSFETs; Explicit model; Surface potential;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Quantum electron transport modeling in double-gate MOSFETs based on multiband non-equilibrium Green's function method

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; 72.10.−d; 73.63.−bNon-equilibrium Green's function; Quantum transport; Tight-binding approximation; sp3s*sp3s*; Double-gate MOSFETs; Self-consistent solutions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Reconfigurable threshold logic gates with nanoscale DG-MOSFETs

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Threshold logic; Double-gate MOSFETs; SOI; Reconfigurable logic systems;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

An explicit current–voltage model for undoped double-gate MOSFETs based on accurate yet analytic approximation to the carrier concentration

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Non-classical MOSFETs; Compact modeling; Double-gate MOSFETs; Explicit model

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Volume inversion mobility in SOI MOSFETs for different thin body orientations

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Double-gate MOSFETs; Volume inversion; Mobility; Monte Carlo simulations

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Physical insights on nanoscale multi-gate CMOS design

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Double-gate MOSFETs; Pragmatic FinFETs; Undoped ultra-thin body; Metal gate; Gate-source/drain underlap

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Threshold voltage and bulk inversion effects in nonclassical CMOS devices with undoped ultra-thin bodies

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Double-gate MOSFETs; FinFETs; Fully depleted SOI MOSFETs; Ultra-thin bodies; Threshold voltage; Charge coupling; Volume inversion

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

RF and noise performance of double gate and single gate SOI

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Compact noise modeling; SOI MOSFETs; Double-gate MOSFETs; High-frequency operation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A parallel adaptive finite volume method for nanoscale double-gate MOSFETs simulation

Keywords: دو دروازه MOSFET ها; Parallel algorithm; Domain decomposition; Adaptive computational method; Semiconductor device simulation; Quantum correction model; Nanoscale device; Double-gate MOSFETs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه