کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747446 | 894522 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A spin field effect transistor using stray magnetic fields
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A spin field effect transistor (spin-FET) using the stray magnetic field induced by ferromagnetic patterns is suggested. Spin polarized electrons are generated by the Zeeman splitting effect at source and selected spins are transmitted by the spin filtering effect at drain. Datta and Das spin transistor needs spin injection and detection in a ferromagnet-semiconductor hybrid junction. This new design has an advantage over the previous spin-FET concept by removing the current flowing at an interface between ferromagnetic metal and semiconductor channel.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 9, September 2009, Pages 1016–1019
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 9, September 2009, Pages 1016–1019
نویسندگان
Hyun Cheol Koo, Jonghwa Eom, Joonyeon Chang, Suk-Hee Han,