کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747493 | 894529 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
1/f noise characterization of amorphous/nanocrystalline silicon bilayer thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Bottom-gated n-channel thin-film transistors (TFTs) were fabricated on amorphous silicon (a-Si)/nanocrystalline silicon (nc-Si) bilayers, deposited at 230 °C by plasma-enhanced chemical vapour deposition. The impact of the channel length on the electrical and low-frequency noise characteristics of the TFTs is investigated. The results show that the 1/f noise can be interpreted in terms of carrier number fluctuations, except the long channel devices where the 1/f noise is interpreted in terms of the Hooge’s mobility fluctuations model at low drain currents. The gate insulator trap density has been evaluated, demonstrating that the nc-Si extended underneath the n+ drain contact area contributes to the measured noise.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 5, May 2007, Pages 726–731
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 5, May 2007, Pages 726–731
نویسندگان
A.T. Hatzopoulos, N. Arpatzanis, D.H. Tassis, C.A. Dimitriadis, F. Templier, M. Oudwan, G. Kamarinos,