کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747570 | 894538 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A semiempirical surface scattering model for quantum corrected full-band Monte-Carlo simulation of biaxially strained Si/SiGe NMOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A new semiempirical surface scattering model for electrons in strained Si devices including a quantum correction has been developed and implemented into our FBMC simulator. The strain is assumed to be consistent with pseudomorphic growth on a relaxed SiGe buffer. By introducing a few additional terms into the physical scattering rates which depend on the Ge-content in the SiGe buffer, the new surface scattering model can excellently reproduce low-field inversion layer mobility measurements for a wide range of Ge-content (0-30%) and substrate doping levels (1016-5.5Â ÃÂ 1018Â cmâ3). As a device example, an NMOSFET with 23Â nm gate length with and without a strained Si channel has been simulated by the new FBMC model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 4, April 2006, Pages 694-700
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 4, April 2006, Pages 694-700
نویسندگان
A.T. Pham, C.D. Nguyen, C. Jungemann, B. Meinerzhagen,