کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
747707 1462238 2014 7 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
ON-state characteristics of proton irradiated 4H–SiC Schottky diode: The calibration of model parameters for device simulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ON-state characteristics of proton irradiated 4H–SiC Schottky diode: The calibration of model parameters for device simulation
چکیده انگلیسی

4H silicon carbide Schottky diodes were irradiated by 550 keV protons with the aim to place the ion range into the low-doped n-type epitaxial layer. The diodes were characterized using DLTS, C–V profiling and forward I–V curves. Calibration procedure of model parameters for device simulation has been carried out. It is based on modeling the doping compensation of the n-type epitaxial layer caused by the deep acceptor levels resulting from radiation damage. It is shown that the agreement of simulated and measured forward I–V curves of proton irradiated diodes can be achieved, if the profiles of deep levels are calibrated with respect to irradiation dose, the degradation of electron mobility due to charged deep levels is accounted of and the Schottky barrier height is properly adjusted. The proposed methodology introduces a starting point for exact calibration of ion irradiated SiC unipolar devices.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 94, April 2014, Pages 32–38
نویسندگان
, , , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت