کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747845 | 1462219 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Superior performance and Hot Carrier reliability of strained FDSOI nMOSFETs for advanced CMOS technology nodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The Hot Carrier (HC) reliability of NMOS transistors fabricated on biaxially tensile-strain SOI substrates (sSOI) is compared to that of devices fabricated on standard unstrained SOI substrates. It is shown that sSOI-based devices not only exhibit a 10% higher performance in term of ION/IOFF but also show superior HC reliability at same drive current. This reliability improvement may be explained by a better interface quality for sSOI films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 113, November 2015, Pages 127–131
Journal: Solid-State Electronics - Volume 113, November 2015, Pages 127–131
نویسندگان
G. Besnard, X. Garros, F. Andrieu, P. Nguyen, W. Van Den Daele, P. Reynaud, W. Schwarzenbach, D. Delprat, K.K. Bourdelle, G. Reimbold, S. Cristoloveanu,