کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747983 | 1462248 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparative study of electrical characteristics in (1Â 0Â 0) and (1Â 1Â 0) surface-oriented nMOSFETs with direct contact La-silicate/Si interface structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Electrical characteristics of (1 1 0)-oriented nMOSFETs with a direct contact La-silicate/Si structure are studied. ⺠Superior interfacial properties on (1 1 0) orientation is successfully demonstrated at scaled EOT region of 0.73 nm. ⺠Superior interfacial properties on (1 1 0) orientation provide high breakdown voltage of 2.9 V. ⺠Electron mobility is reduced with decreasing EOT in (1 1 0)-oriented nMOSFETs. ⺠Influence of surface orientation on threshold voltage instability is negligibly small.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 84, June 2013, Pages 53-57
Journal: Solid-State Electronics - Volume 84, June 2013, Pages 53-57
نویسندگان
T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai,