کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748008 | 894726 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of gate misalignment on the electrical characteristics of MuGFETS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This work studies the influence of gate misalignment on the electrical properties of Multigate Field-Effect Transistors (MuGFETs) using both measurements and 3D simulations. Electrical characteristics such as a DIBL, drain breakdown voltage and hot-carrier effects are shown to be dependent on the gate misalignment due to the resulting change in effective fin width. The performances of devices that have a widening of the fin at the drain side (DW) are degraded due to weakening of gate control. Widening of the fin at the source (SW), however, does not alter the device characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 3, March 2010, Pages 226–230
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 3, March 2010, Pages 226–230
نویسندگان
Chi-Woo Lee, Aryan Afzalian, Isabelle Ferain, Ran Yan, Nima Dehdashti Akhavan, Weize Xiong, Jean-Pierre Colinge,