کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748205 | 894748 | 2008 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transient charge pumping as an efficient technique to measure low light intensity with PD SOI MOSFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Transient charge pumping as an efficient technique to measure low light intensity with PD SOI MOSFET Transient charge pumping as an efficient technique to measure low light intensity with PD SOI MOSFET](/preview/png/748205.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, we present a new method to measure light intensity in a floating body partially depleted SOI MOSFET. The photo-generated charge density in the MOSFET is converted into a charge pumping frequency needed to maintain the drain current at a constant value. This new approach contrasts with conventional techniques that rely on an accurate drain current evaluation. According to our measurements, flux densities as low as 2 mW/m2 were obtained using a regular SOI MOSFET, thus confirming the potentials of this approach.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 5, May 2008, Pages 597–605
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 5, May 2008, Pages 597–605
نویسندگان
L. Harik, J.M. Sallese, M. Kayal,