کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748219 | 894748 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A Monte Carlo study of Si/SiGe MITATT diodes for terahertz power generation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper analyzes the design tradeoffs between Si and SiGe MITATT diodes using a Monte Carlo method. The narrow bandgap material Si0.7Ge0.3 improves the charge confinement in the avalanche generation region and therefore increases the RF power generation efficiency. A SiGe MITATT diode operating at 200 GHz can produce 42 mW of RF power which is 63% higher than that from a Si MITATT diode. Beyond 300 GHz, the superior thermal properties of Si allow the Si MITATT diode to be driven at higher DC power level. Therefore, 2.3 mW can be generated from the Si MITATT diode at 400 GHz but only 1.5 mW from the SiGe MITATT diode.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 5, May 2008, Pages 688–694
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 5, May 2008, Pages 688–694
نویسندگان
Xiaochuan Bi, Jack R. East, Umberto Ravaioli, George I. Haddad,