کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748317 | 894753 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of the deposition temperature on the performance of microcrystalline silicon thin film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Influence of the deposition temperature on the performance of microcrystalline silicon thin film transistors Influence of the deposition temperature on the performance of microcrystalline silicon thin film transistors](/preview/png/748317.png)
چکیده انگلیسی
Bottom gate microcrystalline silicon thin film transistors (μc-Si:H TFT) have been fabricated at three different deposition temperatures (150, 200 and 250 °C) for the μc-Si layer. We found that the linear field effect mobility increases from 0.1 to 0.44 cm2/V s by decreasing the temperature from 250 °C to 150 °C, and that the leakage current of TFTs with μc-Si deposited at 150 °C is lower than that of μc-Si:H deposited at 250 °C. Moreover, there is no influence of the deposition temperature on the stability of μc-Si:H TFTs. The improvement of the electrical characteristics at lower deposition temperatures is discussed in terms of a lower concentration of donor active oxygen atoms at lower temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 3, March 2008, Pages 432–435
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 3, March 2008, Pages 432–435
نویسندگان
Maher Oudwan, Alexey Abramov, Pere Roca i Cabarrocas, François Templier,