کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748407 | 894758 | 2008 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the physical origins of mismatch in Si/SiGe:C heterojunction bipolar transistors for BiCMOS technologies
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we study the bipolar transistor characteristic matching in all current ranges. At low current, the phenomena responsible of the base current mismatch degradation are interpreted and a new base current mismatch model is derived. At medium current, the physical origins of the mismatch in bipolar transistors are investigated leading to new mismatch models. Moreover, matching performances of Si/SiGe(:C) heterojunction bipolar transistors, processed in several BiCMOS technologies, are characterized and compared. In the high current region, the impact of the emitter resistance mismatch on the base and the collector current mismatch degradations is fully demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 2, February 2008, Pages 323–337
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 2, February 2008, Pages 323–337
نویسندگان
Stéphane Danaie, Mathieu Marin, Gérard Ghibaudo,