کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
748523 894767 2006 8 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
CMOS and post-CMOS on-chip microwave pulse power detectors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
CMOS and post-CMOS on-chip microwave pulse power detectors
چکیده انگلیسی

Schottky diode microwave pulse power detectors were fabricated by both a CMOS process and a post-CMOS process. Focused ion beam (FIB) milling and ion-induced deposition were used for the post-CMOS fabrication. Fabricated detectors were tested under RF direct injection and RF radiation. CMOS fabricated Schotty diode power detectors had 820 ns pulse response time, 36 dBm dynamic range, and began to detect −21 dBm injected input power level. FIB fabricated Schottky diode power detectors with large contact area had 6 μs pulse response time, 25 dBm dynamic range, and began to detect −15 dBm injected input power level, and Schottky diode with small contact area had 100 ns pulse response time, 16 dBm dynamic range, and began to detect −1 dBm injected input power level. The main factor determining pulse response time and dynamic range was the area of the Schottky contact of diodes.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 6, June 2006, Pages 951–958
نویسندگان
, ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت