کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748584 | 1462254 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non volatile memory reliability evaluation based on oxide defect generation rate during stress and retention test
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Non Volatile Memory (NVM) reliability. ⺠Non Volatile Memory (NVM) design and test. ⺠Emerging memories (Resistive RAMs). ⺠Yield optimization and failure analysis. ⺠Fault modeling and simulation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 78, December 2012, Pages 151-155
Journal: Solid-State Electronics - Volume 78, December 2012, Pages 151-155
نویسندگان
H. Aziza, J.M. Portal, J. Plantier, C. Reliaud, A. Regnier, J.L. Ogier,