کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748584 | 1462254 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non volatile memory reliability evaluation based on oxide defect generation rate during stress and retention test
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Non volatile memory reliability evaluation based on oxide defect generation rate during stress and retention test Non volatile memory reliability evaluation based on oxide defect generation rate during stress and retention test](/preview/png/748584.png)
چکیده انگلیسی
⺠Non Volatile Memory (NVM) reliability. ⺠Non Volatile Memory (NVM) design and test. ⺠Emerging memories (Resistive RAMs). ⺠Yield optimization and failure analysis. ⺠Fault modeling and simulation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 78, December 2012, Pages 151-155
Journal: Solid-State Electronics - Volume 78, December 2012, Pages 151-155
نویسندگان
H. Aziza, J.M. Portal, J. Plantier, C. Reliaud, A. Regnier, J.L. Ogier,