کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748617 | 894773 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Parameter extraction in polysilicon nanowire MOSFETs using new double integration-based procedure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A new double integration-based method to extract model parameters is applied to experimental polysilicon nanowire MOSFETs. The threshold voltage and Subthreshold Slope factor are extracted from noisy measured current–voltage characteristics. It is shown that the present method offers advantages over previous extraction procedures regarding data noise reduction. In addition, the normalized mutual integral difference operator method is scrutinized and an improvement of the method is presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 6, June 2010, Pages 635–641
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 6, June 2010, Pages 635–641
نویسندگان
A. Ortiz-Conde, A.D. Latorre Rey, W. Liu, W.-C. Chen, H.-C. Lin, J.J. Liou, J. Muci, F.J. García-Sánchez,