کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748657 | 1462259 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical characteristics of 20-nm junctionless Si nanowire transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have fabricated n-channel junctionless nanowire transistors with gate lengths in the range of 20–250 nm, and have compared their electrical performances with conventional inversion-mode nanowire transistors. The junctionless tri-gate transistor with a gate length of 20 nm showed excellent electrical characteristics with a high Ion/Ioff ratio (>106), good subthreshold slope (∼79 mV/dec), and low drain-induced barrier lowering (∼10 mV/V). The simpler fabrication process without junction formation results in improved short-channel characteristics compared to the inversion-mode devices, and also makes the junctionless nanowire transistor a promising candidate for sub 22-nm technology nodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 73, July 2012, Pages 7–10
Journal: Solid-State Electronics - Volume 73, July 2012, Pages 7–10
نویسندگان
Chan-Hoon Park, Myung-Dong Ko, Ki-Hyun Kim, Rock-Hyun Baek, Chang-Woo Sohn, Chang Ki Baek, Sooyoung Park, M.J. Deen, Yoon-Ha Jeong, Jeong-Soo Lee,