Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Junctionless transistor; Gate-source/drain underlap; Model; Short channel effects; TCAD;
مقالات ISI ترانزیستور بدون اتصال (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Triboelectric nanogenerator (TENG); Tribotronics; Transient electronics; Flash memory; Data erasing; Junctionless transistor;
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Dual-k spacer; Junctionless transistor; Short-channel effects;
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Junctionless transistor; Ferroelectric gate dielectric; Negative capacitance; Power dissipation applications; Numerical simulation;
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Pseudo-Boltzmann approximation; Fermi-Dirac statistics; Boltzmann statistics; Junctionless transistor
RF stability performance of SOI junctionless FinFET and impact of process variation
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Junctionless transistor; Process variation; Stability factor; Cut-off frequency; Maximum oscillation frequency;
Investigation of 6T SRAM memory circuit using high-k dielectrics based nano scale junctionless transistor
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; High-k; SRAM; Junctionless transistor; Dual metal gate engineering; TCAD;
Impact of thin high-k dielectrics and gate metals on RF characteristics of 3D double gate junctionless transistor
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Junctionless transistor; High-k dielectric; Work function; Transconductance; Early voltage; Cut-off frequency;
Novel δ-doped partially insulated junctionless transistor for mixed signal integrated circuits
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Junctionless transistor; Partially insulated; Work function; Scaling
Mixed-mode simulation and analysis of 3D double gate junctionless nanowire transistor for CMOS circuit applications
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Junctionless transistor; Inverter; Mixed mode simulation; High-K; Universal gates;
Effect of gate engineering in JLSRG MOSFET to suppress SCEs: An analytical study
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Triple-Material gate; Junctionless transistor; Surrounding gate MOSFET; Centre potential; Surface potential; Electric Field; Threshold voltage; DIBL; TCAD ATLAS; SCEs
Analytical subthreshold modeling of dual material gate engineered nano-scale junctionless surrounding gate MOSFET considering ECPE
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Junctionless transistor; Dual material gate; 2-D modeling; Surface potential; ECPE; Surrounding gate MOSFET
Charge-based continuous model for long-channel Symmetric Double-Gate Junctionless Transistors
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; JLT; Junctionless transistor; Double-Gate Junctionless Transistor model; Accumulation JLT; Depletion JLT
A comparative study on hot carrier effects in inversion-mode and junctionless MuGFETs
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Junctionless transistor; Inversion-mode transistor; Hot-carrier effects; Multiple-gate MOSFET
Back biasing effects in tri-gate junctionless transistors
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; SOI (silicon on insulator); Junctionless transistor; Back bias effect; Channel width variation; 2-D numerical simulation
Electrical characteristics of 20-nm junctionless Si nanowire transistors
Keywords: ترانزیستور بدون اتصال; Junctionless transistor; Nanowire transistor; Multigate; Short channel characteristics; Subthreshold slope; Drain induced barrier lowering