کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7939199 | 1513188 | 2018 | 25 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical model of nanoscale junctionless transistors towards controlling of short channel effects through source/drain underlap and channel thickness engineering
ترجمه فارسی عنوان
مدل تحلیلی ترانزیستورهای اتصال نانومتری به سمت کنترل اثرات کانال کوتاه از طریق زیرین منبع / تخلیه و ضخامت کانال
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
We develop a 2D analytical subthreshold model for nanoscale double-gate junctionless transistors (DGJLTs) with gate-source/drain underlap. The model is validated using well-calibrated TCAD simulation deck obtained by comparing experimental data in the literature. To analyze and control short-channel effects, we calculate the threshold voltage, drain induced barrier lowering (DIBL) and subthreshold swing of DGJLTs using our model and compare them with corresponding simulation value at channel length of 20Â nm with channel thickness tSi ranging 5-10Â nm, gate-source/drain underlap (LSD) values 0-7Â nm and source/drain doping concentrations (NSD) ranging 5-12Â ÃÂ 1018Â cmâ3. As tSi reduces from 10 to 5Â nm DIBL drops down from 42.5 to 0.42Â mV/V at NSDÂ =Â 1019Â cmâ3 and LSDÂ =Â 5Â nm in contrast to decrement from 71 to 4.57Â mV/V without underlap. For a lower tSiDIBL increases marginally with increasing NSD. The subthreshold swing reduces more rapidly with thinning of channel thickness rather than increasing LSD or decreasing NSD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 113, January 2018, Pages 71-81
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 113, January 2018, Pages 71-81
نویسندگان
Debapriya Roy, Abhijit Biswas,