کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748734 | 894784 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High temperature antimony ion implantation in strained silicon-on-insulator
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present experimental results on shallow junction formation in strained silicon-on-insulator by antimony ion implantation and standard rapid thermal processing. An attempt is made to obtain Sb activation without layer amorphization by implanting Sb at elevated temperature. The focus is on studying the Sb activation during implantation at high temperature. Rutherford backscattering spectrometry and secondary ion mass spectroscopy are employed for characterization of Sb diffusion in amorphous and crystalline Si. The results are discussed in terms of the defect reaction kinetics involved.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 8, August 2009, Pages 828–832
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 8, August 2009, Pages 828–832
نویسندگان
D. Buca, W. Heiermann, H. Trinkaus, B. Holländer, U. Breuer, S. Mantl,