کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748789 | 894789 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Negative capacitance in light-emitting devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The negative capacitance behavior in light-emitting diodes and laser diodes has been observed and characterized by using ac admittance–voltage method. Experimental results proved that the strong negative capacitance behavior is always accompanied by remarkable light emission. We confirmed that the negative capacitance is an effect of the junction instead of other behavior or measurement error. We presented a numerical calculation by solving one dimension continuity equation based on a simple diode model. The results show that the negative capacitance behavior in light-emitting diodes has great relation to injected carriers recombination in the active region of luminescence.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 3, March 2009, Pages 324–328
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 3, March 2009, Pages 324–328
نویسندگان
C.Y. Zhu, L.F. Feng, C.D. Wang, H.X. Cong, G.Y. Zhang, Z.J. Yang, Z.Z. Chen,