کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749018 | 894801 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Long term charge retention dynamics of SONOS cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Long term charge retention dynamics of SONOS cells Long term charge retention dynamics of SONOS cells](/preview/png/749018.png)
چکیده انگلیسی
We present a model for charge retention dynamics in SONOS non volatile memory cells which accounts for the space and energy distributions of the trapped charge in the silicon nitride, self consistently with the potential. Long term retention measurements (beyond 106106 s) versus temperature allowed us to decouple two charge loss mechanisms, to calibrate the model parameters and then to reproduce a large set of measurements on devices featuring different gate stacks, initial threshold voltages (including negative ones) and operation temperatures. A detailed analysis has been also carried out to compare the retention dynamics of cells featuring thin or thick tunnel oxide barriers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 9, September 2008, Pages 1460–1466
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 9, September 2008, Pages 1460–1466
نویسندگان
A. Arreghini, N. Akil, F. Driussi, D. Esseni, L. Selmi, M.J. van Duuren,