کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749093 | 894807 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved ESD properties by combining GaN-based light-emitting diode with MOS capacitor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Improved ESD properties by combining GaN-based light-emitting diode with MOS capacitor Improved ESD properties by combining GaN-based light-emitting diode with MOS capacitor](/preview/png/749093.png)
چکیده انگلیسی
An InGaN/GaN light-emitting diode (LED) combined with a metal–oxide semiconductor (MOS) capacitor has been fabricated for high electrostatic discharge (ESD) protection. By connecting a MOS capacitor in parallel with the GaN-based LED, a level of defense against the ESD is significantly strengthened from 200 to 1900 V of human body mode (HBM), which corresponds to 6- to 7-fold enhancement in the ESD robustness of LEDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 7, July 2008, Pages 1043–1046
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 7, July 2008, Pages 1043–1046
نویسندگان
R.W. Chuang, P.C. Tsai, Y.K. Su, C.H. Chu,