کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749177 | 894814 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characteristics and thermal stability of MOS devices with MoN/TiN and TiN/MoN metal gate stacks
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Metal gate with high work function is the key issue for MOS device. The influences of MoN metal gate with TiN layer above or below and various post metal annealing (PMA) treatments were studied in this work. Experimental results show that metal gate stack with TiN under MoN film (i.e., MoN/TiN sample) exhibits better electrical characteristics on gate leakage current, stress-induced flat-band voltage shift, and stress-induced leakage current and thermal stability despite a little lower work function. Thus MoN/TiN metal gate is promising for p-channel MOS device applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 10, October 2008, Pages 1512–1517
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 10, October 2008, Pages 1512–1517
نویسندگان
Chung-Hao Fu, Po-Yen Chien, Kuei-Shu Chang-Liao, Tien-Ko Wang, Wen-Fa Wu,