کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749199 | 894814 | 2008 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Demonstration of the first SiC power integrated circuit
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper will discuss the development of SiC lateral power junction field-effect transistors (JFETs) and ICs. Normally-off RESURF vertical-channel lateral power JFETs are fabricated and characterized. New results for the first demonstration of SiC Power ICs are presented and the potential for distributed DC–DC power converters at high frequencies is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 10, October 2008, Pages 1636–1646
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 10, October 2008, Pages 1636–1646
نویسندگان
Kuang Sheng, Yongxi Zhang, Ming Su, Jian H. Zhao, Xueqing Li, Petre Alexandrov, Leonid Fursin,