دانلود مقالات ISI درباره Resurf + ترجمه فارسی

A novel low specific on-resistance double-gate LDMOS with multiple buried p-layers in the drift region based on the Silicon-On-Insulator substrate

Keywords: SOI; Multiple buried p-layers; Specific on-resistance; Breakdown voltage; RESURF

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

A new physical insight of RESURF effects based on gradual charge appointment concept for bulk silicon lateral power devices

Keywords: Gradual charge appointment; RESURF; Breakdown voltage; 1-D model;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Design considerations of high voltage RESURF nLDMOS: An analytical and numerical study

Keywords: nLDMOS; 0.35 μm BiCMOS; RESURF; Smart power integrated circuit (SPIC); Breakdown voltage; Specific ON-resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Positive charges at buried oxide interface of RESURF: An analytical model for the breakdown voltage

Keywords: RESURF; Electric field; Breakdown voltage; Analytical model

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Analytical models for the electric field distributions and breakdown voltage of Triple RESURF SOI LDMOS

Keywords: RESURF; P-layer; Electric field; Breakdown voltage; SOI LDMOS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Analysis and optimisation of lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) PMOS transistor with an NBL layer in the drift region

Keywords: Thin-SOI technology; CMOS; LDMOS; RESURF; P-channel; NBL; TCAD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Demonstration of the first SiC power integrated circuit

Keywords: Silicon carbide; Normally off; Junction field-effect transistor (JFET); Power integrated circuits; High temperature electronics; RESURF

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A p+/p-buffer/n-epi cmos compatible high-side RESURF LDMOS transistor for Power IC applications

Keywords: LDMOS; RESURF; High-side; CMOS; Compatible; Power; IC

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A new structure and its analytical model for the electric field and breakdown voltage of SOI high voltage device with variable-k dielectric buried layer

Keywords: Low-k dielectric; Electric field; Modulation; Breakdown voltage; RESURF

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A new analytical model for optimizing SOI LDMOS with step doped drift region

Keywords: SOI; LDMOS; Step drift doping profile; RESURF

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A novel analytical model for the breakdown voltage of thin-film SOI power MOSFETs

Keywords: SOI; RESURF; Breakdown voltage; Analytical model;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه