کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411738 | 894788 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel analytical model for the breakdown voltage of thin-film SOI power MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A novel analytical model for the surface field distribution and breakdown voltage of thin-film silicon on insulator (SOI) power MOSFETs has been proposed. The analytical solutions for the surface potential and field distribution are derived on the basis of the two-dimensional Poisson equation. From these expressions, the dependence of breakdown voltage on the device parameters is carefully examined. The validity of this model is demonstrated by comparison with numerical simulations and experimental data. Compared with other analytical models, this approach is more suitable to explain the breakdown behavior.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 1, January 2005, Pages 43-48
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 1, January 2005, Pages 43-48
نویسندگان
Wenwei Yang, Xinhong Cheng, Yuehui Yu, Zhaorui Song, Dashen Shen,