کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749277 | 894817 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Possible new mechanism of chip latent damage due to ESD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Possible new mechanism of chip latent damage due to ESD Possible new mechanism of chip latent damage due to ESD](/preview/png/749277.png)
چکیده انگلیسی
This paper introduces a possible new, to-date not recognized mechanism of microelectronic chip damage due to ESD as well as numerical simulation of some corresponding damage scenarios for an ESD protection device.The model presented herein recognizes the effects of thermo-mechanical coupling that can produce excessive mechanical stresses, elastic shock waves and mechanical damage in a chip during an ESD event. This mechanism can get activated at temperatures well below melting point and thus may be an early contributor to latent and “hard” ESD failures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 8, August 2008, Pages 1177–1181
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 8, August 2008, Pages 1177–1181
نویسندگان
W. Woytek Tworzydlo, Vladimir Rodov,