کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749279 | 894817 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
T-shaped shallow trench isolation with unfilled floating void
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: T-shaped shallow trench isolation with unfilled floating void T-shaped shallow trench isolation with unfilled floating void](/preview/png/749279.png)
چکیده انگلیسی
In this paper we propose a novel T-shaped shallow trench isolation technology including an unfilled floating void (VSTI). The structure aims to reduce the dark current in CMOS active pixel sensor technology and is optimized with respect to the size of the depletion region surrounding the STI, also accounting for the leakage current.Simulations outline that a large air void positioned far from the bottom and the top of the T-shaped trench improves performances.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 8, August 2008, Pages 1188–1192
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 8, August 2008, Pages 1188–1192
نویسندگان
F. Irrera, G. Puzzilli, L. Ricci, F. Russo, F. Stirpe,