کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749367 | 1462267 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Power Trench MOSFETs with very low specific on-resistance for 25V applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, an investigation of the benefits of deep ultra violet lithography for the manufacturing of Trench MOSFETs and its impact on device performance is presented. We discuss experimental results for devices with a pitch size down to 0.6 μm fabricated with an unconventional implant topology and a simplified manufacturing scheme. The fabricated Trench MOSFETs are benchmarked against previously published TrenchMOS technologies by de-embedding the parasitic substrate resistance, revealing a record-low specific on-resistance of 5.3 mΩ mm2 at a breakdown voltage of 30 V (Vgs = 10 V).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issues 11–12, November–December 2007, Pages 1589–1595
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issues 11–12, November–December 2007, Pages 1589–1595
نویسندگان
Pierre Goarin, Rob van Dalen, Gerhard Koops, Christelle Le Cam,