کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749390 | 894824 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High aspect ratio cylindrical nanopores in silicon-on-insulator substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Cylindrical solid-state nanopores with 40 nm diameter were fabricated in silicon-on-insulator substrates using standard cleanroom semiconductor processing techniques. Here we report on a fabrication sequence which consistently produced robust nanopores with control over the final diameter. The electrolyte concentration dependence of ion transport through a single nanopore was measured over the range of 0.316 mM to 1 M. Experimentally measured values follow the bulk linear behavior at high concentrations but deviate from the simple model at lower concentrations. These deviations were modeled using a surface charge conduction mechanism.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 10, October 2007, Pages 1391–1397
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 10, October 2007, Pages 1391–1397
نویسندگان
Leo Petrossian, Seth J. Wilk, Punarvasu Joshi, Sahar Hihath, Jonathan D. Posner, Stephen M. Goodnick, Trevor J. Thornton,