کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749630 | 894837 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transient processes in a Ge/Si hetero-nanocrystal p-channel memory
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Transient processes of Ge/Si hetero-nanocrystal floating gate memories are simulated numerically. Compared with Si nanocrystal memories, Ge/Si hetero-nanocrystal memories show similar writing and erasing efficiency with a weaker writing saturation and markedly improved retention characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 3, March 2006, Pages 362-366
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 3, March 2006, Pages 362-366
نویسندگان
Dengtao Zhao, Yan Zhu, Ruigang Li, Jianlin Liu,