کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749716 | 894845 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-pressure band parameters for GaAs: first principles calculations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Structural and electronic parameters of zincblende GaAs are obtained from density-functional-theory calculations utilizing an ab initio total energy pseudopotential technique within the local-density and the generalized gradient approximations. Detailed comparisons are made with the existing measured values and with results obtained in previous theoretical studies. The agreement between the present results and the available data from the literature is roughly satisfactory. Dependencies of some computed quantities on pressure are examined.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 5, May 2006, Pages 763–768
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 5, May 2006, Pages 763–768
نویسندگان
S. Saib, N. Bouarissa,