کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749812 | 894850 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comments on “Modeling MOSFET surface capacitance behavior under non-equilibrium”
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Some expressions of the normalized surface capacitance for non-equilibrium MOSFET proposed in [Kapoor Abhishek, Jindal RP. Modeling MOSFET surface capacitance behavior under non-equilibrium. Solid-State Electron 2005;49:976–80] have been further discussed and the calculation of the MOSFET surface capacitance behavior under non-equilibrium conditions has been compared based on the device physics analysis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 2, February 2006, Pages 259–262
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 2, February 2006, Pages 259–262
نویسندگان
Jin He, Xing Zhang, Yangyuan Wang,