کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753338 | 895515 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical model of short-channel gate enclosed transistors using Green functions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Enclosed-layout transistors fabricated in standard CMOS processes are known to offer a natural robustness against radiation effects, a characteristic which is boosted in submicron technologies due to the reduction of the oxide thickness. In this paper, a thorough analytical I–V model of short-channel polygonal enclosed-layout transistors is proposed, addressing the issues of drain-induced barrier lowering and threshold voltage roll-off due to short-channel effects. Experimental data is reported, showing good agreement with the theoretical model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 5, May 2009, Pages 514–519
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 5, May 2009, Pages 514–519
نویسندگان
P. López, J. Hauer, B. Blanco-Filgueira, D. Cabello,