کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753446 | 895529 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of strained CMOS on disposable SiGe dots: Shape impacts on electrical/thermal characteristics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We proposed a new non-planar disposable SiGe dot (d-Dot) MOSFET based on Si-on-nothing technology. The new device concepts' relies on self-assembled single-crystalline d-Dot. The d-Dot MOSFET is prone to a particularly high strain/stress from the underlaying SiGe 3D islands. We show that more than 50% higher mobilities of electrons can be obtained as indicated by 3D simulations performed throughout the entire fabrication process. Then, fully-depleted SOI MOSFET and d-Dot MOSFET are compared in term of short channel effects, parasitic capacitance effects and self-heating effects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 6, June 2008, Pages 919-925
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 6, June 2008, Pages 919-925
نویسندگان
Sébastien Frégonèse, Yan Zhuang, Joachim N. Burghartz,