کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753451 | 895529 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved SiGe power HBT characteristics by emitter layout
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A new emitter finger layout in SiGe HBT to reduce thermal-coupling is presented in this study. By redistributing the emitter fingers of various SiGe HBTs, the thermal resistance reduces significantly from 133 to 88 K/W under room temperature. Thus, in dc performance, output conductance increases from −2.0 to −1.6 mA/V. In ac performance, the fMAX shows an improvement over 10%. In power performance, the linear power gain, P1 dB and PAEatP1dB increase by 0.5 dB, 1.5 dB and 6.2% at 1.8 GHz, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 6, June 2008, Pages 946–951
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 6, June 2008, Pages 946–951
نویسندگان
Shou-Chien Huang, Chia-Tsung Chang, Chun-Ting Pan, Yue-Ming Hsin,