کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753477 | 895533 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Navigation aids in the search for future high-k dielectrics: Physical and electrical trends
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
From experimental literature data on metal oxides combined with theoretical estimates, we present empirical relations for k-values and energy band offset values, that can be used in the search for gate dielectric materials fulfilling the needs of future CMOS generations. Only a few materials investigated so far have properties meeting the demands for k and energy band offset values in the development of CMOS down to 22 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 4, April 2007, Pages 622–626
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 4, April 2007, Pages 622–626
نویسندگان
O. Engström, B. Raeissi, S. Hall, O. Buiu, M.C. Lemme, H.D.B. Gottlob, P.K. Hurley, K. Cherkaoui,