کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753486 | 895538 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Uniaxially strained silicon by wafer bonding and layer transfer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Uniaxially strained silicon by wafer bonding and layer transfer Uniaxially strained silicon by wafer bonding and layer transfer](/preview/png/753486.png)
چکیده انگلیسی
Uniaxial strain on wafer-level was realised by mechanically bending and direct wafer bonding of Si wafers in the bent state followed by thinning one of the Si wafers by the smart-cut process. This approach is flexible and allows to obtain different strain values at wafer-level in both tension and compression. UV micro-Raman spectroscopy was used to determine the strain in the thin transferred Si layers. Numerical modelling by 3D finite elements of the strain provided a good description of the experimental results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 2, February 2007, Pages 226–230
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 2, February 2007, Pages 226–230
نویسندگان
C. Himcinschi, I. Radu, F. Muster, R. Singh, M. Reiche, M. Petzold, U. Gösele, S.H. Christiansen,