کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753630 | 895556 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation prediction of electrothermal behaviors of ESD N/PMOS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper uses TCAD (technology computer-aided design) to calculate practical NMOS and PMOS device behaviors under ESD/EOS events. The simulations include electrothermal effect with lattice temperature parameters. These simulations reproduce TLPG (transmission line pulse generator) current–voltage curves successfully. They also predict the same experimental tendencies of various device structural dimensions in practical engineering applications. The electrothermal device simulation has shown its ability to predict a real device ESD/EOS event. It will become a valuable tool to analyze device internal breakdown properties and find out optimized ESD/EOS conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 12, December 2005, Pages 1925–1932
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 12, December 2005, Pages 1925–1932
نویسندگان
Chih-Yao Huang,