کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7719416 | 1497493 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanical milled doped Zn-based semiconductors powders for photovoltaic devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Structural characterization of nanocrystalline Al-doped ZnTe semiconductors, obtained by mechanical milling from ZnTe and Al2O3 powders, is presented. The samples were analyzed by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), X-ray absorption full spectroscopy (XAFS) and positron annihilation lifetime (PALS) measurements. The results suggested that Al atoms are substitutional incorporated into the ZnTe cubic structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: International Journal of Hydrogen Energy - Volume 39, Issue 16, 27 May 2014, Pages 8697-8701
Journal: International Journal of Hydrogen Energy - Volume 39, Issue 16, 27 May 2014, Pages 8697-8701
نویسندگان
J.I. Laborde, J. Hoya, M.D. Reyes Tolosa, M.A. Hernandez-Fenollosa, L.C. Damonte,