کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
77493 49283 2016 13 صفحه PDF سفارش دهید دانلود کنید
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An insight into dislocation density reduction in multicrystalline silicon
ترجمه فارسی عنوان
نگاهی به کاهش تراکم دررفتگی در سیلیکون چندکریستالی
کلمات کلیدی
سیلیکون چندکریستالی؛ سلول های خورشیدی؛ چگالی دررفتگی؛ انهدام دوتائی ؛ مهندسی دررفتگی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی کاتالیزور
چکیده انگلیسی

Dislocations can severely limit the conversion efficiency of multicrystalline silicon (mc-Si) solar cells by reducing minority carrier lifetime. As cell performance becomes increasingly bulk lifetime–limited, the importance of dislocation engineering increases too. This study reviews the literature on mc-Si solar cells; it focuses on the (i) impact of dislocations on cell performance, (ii) dislocation diagnostic skills, and (iii) dislocation engineering techniques during and after crystal growth. The driving forces in dislocation density reduction are further discussed by examining the dependence of dislocation motion on temperature, intrinsic and applied stresses, and on other defects, such as vacancies and impurities.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 155, October 2016, Pages 88–100
نویسندگان
, , , , , , , ,