کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7759354 | 1500103 | 2014 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of p-type porous silicon nanowire with oxidized silicon substrate through one-step MACE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی معدنی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Schematic cross-sectional views of PSiNWs array formation by etching oxidized silicon wafer in HF/AgNO3 solution. (A) At the starting point; (B) during the etching process; and (C) after Ag dendrites remove.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Solid State Chemistry - Volume 213, May 2014, Pages 242-249
Journal: Journal of Solid State Chemistry - Volume 213, May 2014, Pages 242-249
نویسندگان
Shaoyuan Li, Wenhui Ma, Yang Zhou, Xiuhua Chen, Yongyin Xiao, Mingyu Ma, Feng Wei, Xi Yang,