کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
77596 49288 2016 6 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non-uniform distribution in µc-Si1−xGex:H and its influence on thin film and device performance
ترجمه فارسی عنوان
توزیع غیر یکنواخت در μc-Si1-xGex: H و تأثیر آن در عملکرد نازک فیلم و عملکرد دستگاه
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
خدمات تولید محتوا

این مقاله ISI می تواند منبع ارزشمندی برای تولید محتوا باشد.

  • تولید محتوا برای سایت و وبلاگ
  • تولید محتوا برای کتاب
  • تولید محتوا برای نشریات و روزنامه ها
  • و...

پایگاه «دانشیاری» آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با استفاده از این مقاله علمی، برای شما به زبان فارسی، تولید محتوا نماید.

سفارش تولید محتوا
با 10 درصد تخفیف ویژه دانشیاری
کلمات کلیدی
هیدروژن ژرمانیوم سیلیکون میکرو کریستالی؛ توزیع غیر یکنواخت؛ پاسخ مادون قرمز؛ سلول خورشیدی فیلم نازک
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی کاتالیزور
چکیده انگلیسی


• Three kinds of the non-uniform distribution in µc-Si1−xGex:H are explored.
• The properties of µc-Si1−xGex:H are mainly governed by Ge composition.
• The infrared response of bottom cell can be enhanced by raising Ge content.
• The 1200 nm a-Si:H/a-Si0.6Ge0.4:H/µc-Si0.5Ge0.5:H solar cell shows an efficiency of 11.35%.

In this work, hydrogenated microcrystalline silicon germanium (µc-Si1−xGex:H) thin films were fabricated by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and developed as the infrared absorber for thin film silicon solar cells. Three kinds of the non-uniform distribution in µc-Si1−xGex:H thin films including: “the non-uniform distribution of Si and Ge”, the non-uniform distribution of crystallization”, and “the non-uniform distribution of H”, and how these affect the structural, optical and photoelectric properties of µc-Si1−xGex:H thin films have been explored. The results show that the good film quality of µc-Si1−xGex:H is associated with the low crystalline volume fraction and microstructure factor. The band gap of µc-Si1−xGex:H is determined by the proportion of the Ge-related crystalline networks. In addition, it is suggested that the deterioration of the photosensitivity of µc-Si1−xGex:H is mainly due to the increase of the Ge clusters with higher micro-void and defect density. Furthermore, by using µc-Si1−xGex:H bottom sub-cells, the comparable efficiency can be realized under the thin thickness condition. An efficiency of 11.35% in an a-Si:H/a-Si0.6Ge0.4:H/µc-Si0.5Ge0.5:H triple junction structure with total cell thickness as thin as 1200 nm was obtained. It is believed that the µc-Si1−xGex:H thin films can be a better candidate for effective infrared absorber by further improving its microstructure uniformity.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 151, July 2016, Pages 1–6
نویسندگان
,,,,,,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت