کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7759928 | 1500112 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural characterization and low-temperature physical properties of p-type single-crystal K8Ga8.5Sn37.5 grown by self-flux method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی معدنی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Structural characterization and low-temperature physical properties of p-type single-crystal K8Ga8.5Sn37.5 grown by self-flux method Structural characterization and low-temperature physical properties of p-type single-crystal K8Ga8.5Sn37.5 grown by self-flux method](/preview/png/7759928.png)
چکیده انگلیسی
Single-crystal K8Ga8.5Sn37.5 was synthesized via a double-flux method where Ga and Sn were used as fluxes. Large disorder for K inside the larger polyhedra in the crystal structure of K8Ga8.5Sn37.5 was observed. Measurements of the electronic properties indicate p-type conduction with the onset of minority charge carrier conduction at temperatures above 270Â K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Solid State Chemistry - Volume 204, August 2013, Pages 166-169
Journal: Journal of Solid State Chemistry - Volume 204, August 2013, Pages 166-169
نویسندگان
Stevce Stefanoski, Yongkwan Dong, George S. Nolas,